Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 2mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5.2mm
Höhe
5.33mm
Breite
4.19mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,37
Each (Supplied in a Box) (bez DPH)
50
€ 0,37
Each (Supplied in a Box) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Škatuľa |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,37 | € 18,50 |
250 - 450 | € 0,22 | € 11,00 |
500 - 2450 | € 0,21 | € 10,50 |
2500 - 4950 | € 0,21 | € 10,50 |
5000+ | € 0,20 | € 10,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 2mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5.2mm
Höhe
5.33mm
Breite
4.19mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.