Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-30 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
10 W
Minimální proudový zisk DC
160
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-40 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
80 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, Fairchild Semiconductor až do 30
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 25,34
€ 0,422 Each (In a Tube of 60) (bez DPH)
60
€ 25,34
€ 0,422 Each (In a Tube of 60) (bez DPH)
60
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-30 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
10 W
Minimální proudový zisk DC
160
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-40 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
80 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, Fairchild Semiconductor až do 30
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.