Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
50 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
120 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
110 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, přes 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 95,90
€ 0,096 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
1000
€ 95,90
€ 0,096 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Páska)
1000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
50 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
120 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
110 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, přes 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


