Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
50 mA
Kollektor-Emitter-
120 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
110 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, přes 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,079
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
1000
€ 0,079
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
50 mA
Kollektor-Emitter-
120 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
110 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, přes 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.