Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
50 W
Minimální proudový zisk DC
12
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
1200 V
Maximální bázové napětí emitoru
12 V
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,26
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
€ 0,26
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
50 W
Minimální proudový zisk DC
12
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
1200 V
Maximální bázové napětí emitoru
12 V
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.