Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1.5 A
Kollektor-Emitter-
400 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
20 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1.5 A
Kollektor-Emitter-
400 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
20 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.