Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiPrůměrný špičkový propustný proud
500mA
Typ můstku
Single Phase
Špičkové závěrné napětí opakovaně
800V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
4
Diodová technologie
Silicon Junction
Konfiguration
Single
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
35A
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Špičkové propustné napětí
1V
Špičkový závěrný proud
500µA
Länge
4.95mm
Abmessungen
4.95 x 4.2 x 2.7mm
Höhe
2.7mm
Breite
4.2mm
Podrobnosti o výrobku
ON Semiconductor MB1S-MB8S Bridge Rectifiers
Approvals
UL, E258596
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,08
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,08
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiPrůměrný špičkový propustný proud
500mA
Typ můstku
Single Phase
Špičkové závěrné napětí opakovaně
800V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
4
Diodová technologie
Silicon Junction
Konfiguration
Single
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
35A
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Špičkové propustné napětí
1V
Špičkový závěrný proud
500µA
Länge
4.95mm
Abmessungen
4.95 x 4.2 x 2.7mm
Höhe
2.7mm
Breite
4.2mm
Podrobnosti o výrobku
ON Semiconductor MB1S-MB8S Bridge Rectifiers
Approvals
UL, E258596