Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
115 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 4 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 20 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 5,83
€ 0,292 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 5,83
€ 0,292 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,292 | € 5,83 |
| 200 - 480 | € 0,252 | € 5,03 |
| 500 - 980 | € 0,218 | € 4,36 |
| 1000 - 1980 | € 0,192 | € 3,83 |
| 2000+ | € 0,174 | € 3,49 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
115 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 4 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


