MOSFET MGSF2N02ELT1G N-kanálový 2,8 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 792-5675Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: MGSF2N02ELT1G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

115 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.25 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

0,6 nC při 4 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.01mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 20 V, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 5,83

€ 0,292 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET MGSF2N02ELT1G N-kanálový 2,8 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 5,83

€ 0,292 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET MGSF2N02ELT1G N-kanálový 2,8 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
20 - 180€ 0,292€ 5,83
200 - 480€ 0,252€ 5,03
500 - 980€ 0,218€ 4,36
1000 - 1980€ 0,192€ 3,83
2000+€ 0,174€ 3,49

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

115 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.25 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

0,6 nC při 4 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.01mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 20 V, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more