Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
20µA
Abmessungen
6.73 x 2.38 x 6.35mm
Maximální ztrátový výkon
20 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Höhe
6.35mm
Breite
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,78
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
15
€ 0,78
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
15
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
15 - 15 | € 0,78 | € 11,70 |
30 - 60 | € 0,45 | € 6,75 |
75 - 135 | € 0,44 | € 6,60 |
150 - 285 | € 0,42 | € 6,30 |
300+ | € 0,41 | € 6,15 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
20µA
Abmessungen
6.73 x 2.38 x 6.35mm
Maximální ztrátový výkon
20 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Höhe
6.35mm
Breite
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.