Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3.5 V dc
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Höhe
16.12mm
Breite
4.9mm
Maximální ztrátový výkon
2 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.63mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,73
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 0,73
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,73 | € 36,50 |
100 - 450 | € 0,58 | € 29,00 |
500 - 950 | € 0,49 | € 24,50 |
1000 - 2450 | € 0,40 | € 20,00 |
2500+ | € 0,37 | € 18,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3.5 V dc
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Höhe
16.12mm
Breite
4.9mm
Maximální ztrátový výkon
2 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.63mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.