Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
50 to 150mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
30 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.94mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,33
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 0,33
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,33 | € 1,65 |
50 - 95 | € 0,31 | € 1,55 |
100 - 245 | € 0,27 | € 1,35 |
250 - 495 | € 0,25 | € 1,25 |
500+ | € 0,23 | € 1,15 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
50 to 150mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
30 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.94mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.