Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
50 to 150mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
30 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.94mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 18,00
€ 0,36 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 18,00
€ 0,36 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 0,36 | € 1,80 |
| 100 - 495 | € 0,312 | € 1,56 |
| 500 - 995 | € 0,274 | € 1,37 |
| 1000+ | € 0,25 | € 1,25 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
50 to 150mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
30 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.94mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


