Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
5 to 30mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
14pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
14pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,08
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,08
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
5 to 30mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
14pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
14pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.