Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
5 to 30mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
14pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
14pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,14
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
50
€ 0,14
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,14 | € 7,00 |
100 - 200 | € 0,08 | € 4,00 |
250 - 450 | € 0,08 | € 4,00 |
500 - 950 | € 0,07 | € 3,50 |
1000+ | € 0,06 | € 3,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
5 to 30mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
30V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
14pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
14pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.