Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
10 to 40mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
40V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Jednoduché
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
1.04mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 12,99
€ 0,26 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
€ 12,99
€ 0,26 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,26 | € 12,99 |
500 - 950 | € 0,224 | € 11,19 |
1000+ | € 0,194 | € 9,71 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
10 to 40mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
40V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Jednoduché
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
1.04mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.