Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 2mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Počet kolíků
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 19,20
€ 0,192 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 19,20
€ 0,192 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,192 | € 4,80 |
| 250 - 475 | € 0,166 | € 4,16 |
| 500 - 975 | € 0,146 | € 3,66 |
| 1000+ | € 0,133 | € 3,32 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 2mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Počet kolíků
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


