JFET MMBFJ175LT1G P-kanálový 15 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
-7 to -60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
125 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
11pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
11pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
3.04mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
P-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 259,56
€ 0,087 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 259,56
€ 0,087 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
-7 to -60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
125 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
11pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
11pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
3.04mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
P-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products