Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
-7 to -60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
125 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
11pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
11pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Podrobnosti o výrobku
P-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,18
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 0,18
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,18 | € 4,50 |
100 - 225 | € 0,10 | € 2,50 |
250 - 475 | € 0,09 | € 2,25 |
500 - 975 | € 0,08 | € 2,00 |
1000+ | € 0,07 | € 1,75 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
-7 to -60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
125 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
11pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
11pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Podrobnosti o výrobku
P-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.