Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
-7 to -60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
125 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
11pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
11pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
3.04mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Podrobnosti o výrobku
P-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 6,40
€ 0,256 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 6,40
€ 0,256 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,256 | € 6,40 |
| 100 - 225 | € 0,146 | € 3,65 |
| 250 - 475 | € 0,136 | € 3,40 |
| 500 - 975 | € 0,127 | € 3,17 |
| 1000+ | € 0,107 | € 2,68 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
-7 to -60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
125 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
11pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
11pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
3.04mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Podrobnosti o výrobku
P-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


