JFET MMBFJ177LT1G P-kanálový, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
1.5 to 20mA
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V dc
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Jednoduché
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
11pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Podrobnosti o výrobku
P-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,102
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 0,102
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,102 | € 1,02 |
| 250 - 490 | € 0,097 | € 0,97 |
| 500 - 990 | € 0,092 | € 0,92 |
| 1000+ | € 0,075 | € 0,75 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
1.5 to 20mA
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V dc
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Jednoduché
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
11pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Podrobnosti o výrobku
P-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products