Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
1.5 to 20mA
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V dc
Konfigurace
Jednoduché
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
11pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Länge
3.04mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 261,00
€ 0,087 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 261,00
€ 0,087 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
1.5 to 20mA
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V dc
Konfigurace
Jednoduché
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
11pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Länge
3.04mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.