Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
0.3 to 1.5mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
40V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,30
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
25
€ 0,30
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,30 | € 7,50 |
100 - 975 | € 0,17 | € 4,25 |
1000 - 2975 | € 0,12 | € 3,00 |
3000+ | € 0,10 | € 2,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
0.3 to 1.5mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
40V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.