Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
-2 to -15mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
1.04mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 152,40
€ 0,305 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
500
€ 152,40
€ 0,305 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,305 | € 15,24 |
| 1000+ | € 0,264 | € 13,21 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Zbytkový proud drain-source Idss
-2 to -15mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
1.04mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


