Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
24 to 60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+25 V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Höhe
0.94mm
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
2.9mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 210,62
€ 0,07 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 210,62
€ 0,07 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
24 to 60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+25 V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Höhe
0.94mm
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
2.9mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


