Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Kollektor-Emitter-
40 V
Gehäusegröße
SOT-923F
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
227 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
300 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
0.85 x 0.65 x 0.38mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Kollektor-Emitter-
40 V
Gehäusegröße
SOT-923F
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
227 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
300 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
0.85 x 0.65 x 0.38mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.