Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-200 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-40 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
0.94 x 2.9 x 1.3mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
Czech Republic
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,008
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,008
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-200 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-40 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
250 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
0.94 x 2.9 x 1.3mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
Czech Republic
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.