Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Kollektor-Emitter-
25 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-25 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
-4 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
3.04 x 2.64 x 1.11mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Kollektor-Emitter-
25 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-25 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
-4 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
3.04 x 2.64 x 1.11mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.