Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
1.2 A
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
5000
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.0001mA
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
1.2 A
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
5000
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.0001mA
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.