Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
300 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
400 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
500 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
0.75 V
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
300 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
400 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
500 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
0.75 V