Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

MOSFET NDT3055L N-kanálový 4 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 671-1090Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NDT3055L
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

SOT223

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

100 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

3.56mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

13 nC při 10 V

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Höhe

1.6mm

Podrobnosti o výrobku

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor

Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 4,69

€ 0,938 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET NDT3055L N-kanálový 4 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 4,69

€ 0,938 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET NDT3055L N-kanálový 4 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaBalík
5 - 45€ 0,938€ 4,69
50 - 95€ 0,808€ 4,04
100 - 495€ 0,70€ 3,50
500 - 995€ 0,614€ 3,07
1000+€ 0,562€ 2,81

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

SOT223

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

100 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

3.56mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

13 nC při 10 V

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Höhe

1.6mm

Podrobnosti o výrobku

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor

Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more