IGBT NGTB25N120FL3WG N-kanálový 100 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDauer-Kollektorstrom max.
100 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
349 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Kapacitance hradla
3085pF
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 5,89
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 5,89
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 5,89 | € 11,78 |
| 10 - 98 | € 5,00 | € 10,00 |
| 100 - 248 | € 4,01 | € 8,02 |
| 250 - 498 | € 3,78 | € 7,56 |
| 500+ | € 3,55 | € 7,10 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDauer-Kollektorstrom max.
100 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
349 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Kapacitance hradla
3085pF
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products