Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDauer-Kollektorstrom max.
80 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
366 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 4,31
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 4,31
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
30 - 90 | € 4,31 | € 129,30 |
120 - 240 | € 3,46 | € 103,80 |
270 - 480 | € 3,27 | € 98,10 |
510+ | € 3,06 | € 91,80 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDauer-Kollektorstrom max.
80 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
366 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.