Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Breite
6.22mm
Maximální ztrátový výkon
20 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Höhe
2.38mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,316
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 0,316
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10µA
Breite
6.22mm
Maximální ztrátový výkon
20 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Höhe
2.38mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.