Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
240 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.65mm
Breite
0.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 20 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,056
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,056
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,056 | € 167,04 |
6000+ | € 0,053 | € 158,69 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
240 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.65mm
Breite
0.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku