MOSFET NTA4151PG P-kanálový 760 mA 20 V, SC-75, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
760 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Breite
0.9mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.65mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,1 nC při 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,28
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
50
€ 0,28
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 550 | € 0,28 | € 14,00 |
| 600 - 1450 | € 0,13 | € 6,50 |
| 1500+ | € 0,11 | € 5,50 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
760 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Breite
0.9mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.65mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,1 nC při 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products