MOSFET NTA4153NG N-kanálový 915 mA 20 V, SC-75, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
915 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
0.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,82 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 20 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,27
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 0,27
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,27 | € 2,70 |
| 100 - 190 | € 0,18 | € 1,80 |
| 200 - 740 | € 0,11 | € 1,10 |
| 750 - 1490 | € 0,10 | € 1,00 |
| 1500+ | € 0,08 | € 0,80 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
915 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
0.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,82 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 20 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products