Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
915 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,82 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
0.8mm
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 20 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 1,36
€ 0,136 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 1,36
€ 0,136 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
915 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,82 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
0.8mm
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


