MOSFET NTB25P06G P-kanálový 27 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 780-0510Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTB25P06T4G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

27 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

82 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

120 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

10.29mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

33 nC při 10 V

Breite

9.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.83mm

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)

MOSFET NTB25P06G P-kanálový 27 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)

MOSFET NTB25P06G P-kanálový 27 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

27 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

82 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

120 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

10.29mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

33 nC při 10 V

Breite

9.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.83mm

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more