MOSFET NTB45N06LG N-kanálový 45 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 802-0989Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTB45N06LT4G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

45 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

28 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-15 V, +15 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

10.29mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

23 nC při 5 V

Breite

9.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.83mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)

MOSFET NTB45N06LG N-kanálový 45 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 10.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 10.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

10

Dostupné v násobkoch 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)

MOSFET NTB45N06LG N-kanálový 45 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 10.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 10.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

10

Dostupné v násobkoch 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

45 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

28 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-15 V, +15 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

10.29mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

23 nC při 5 V

Breite

9.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.83mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more