Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.29mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
62 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.29mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
62 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
Podrobnosti o výrobku


