Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
55 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-15 V, +15 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 5 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
6.22mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 5,30
€ 1,06 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 5,30
€ 1,06 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,06 | € 5,30 |
| 50 - 95 | € 0,914 | € 4,57 |
| 100 - 495 | € 0,792 | € 3,96 |
| 500 - 995 | € 0,696 | € 3,48 |
| 1000+ | € 0,634 | € 3,17 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
55 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-15 V, +15 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 5 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
6.22mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku


