MOSFET NTD18N06LT4G N-kanálový 18 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 773-7875Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTD18N06LT4G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

18 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

65 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

55 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-15 V, +15 V

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11 nC při 5 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Breite

6.22mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.38mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 5,30

€ 1,06 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET NTD18N06LT4G N-kanálový 18 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 5,30

€ 1,06 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET NTD18N06LT4G N-kanálový 18 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
5 - 45€ 1,06€ 5,30
50 - 95€ 0,914€ 4,57
100 - 495€ 0,792€ 3,96
500 - 995€ 0,696€ 3,48
1000+€ 0,634€ 3,17

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

18 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

65 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

55 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-15 V, +15 V

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11 nC při 5 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Breite

6.22mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.38mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more