Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
31 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-24 V, +24 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,9 nC při 10 V DC
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 8,84
€ 0,884 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 8,84
€ 0,884 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
31 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-24 V, +24 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,9 nC při 10 V DC
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


