MOSFET NTD20N03L27T4G N-kanálový 20 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 793-1043PZnačka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTD20N03L27T4G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

20 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

31 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

74 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-24 V, +24 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

18,9 nC při 10 V DC

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

2.38mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 8,84

€ 0,884 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTD20N03L27T4G N-kanálový 20 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 8,84

€ 0,884 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTD20N03L27T4G N-kanálový 20 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

20 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

31 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

74 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-24 V, +24 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

18,9 nC při 10 V DC

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

2.38mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more