Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
46 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
60 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21,2 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
9.65mm
Počet prvků na čip
1
Länge
10.29mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 197,50
€ 0,988 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
€ 197,50
€ 0,988 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
200
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,988 | € 19,75 |
| 500+ | € 0,856 | € 17,12 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
46 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
60 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21,2 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
9.65mm
Počet prvků na čip
1
Länge
10.29mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
Podrobnosti o výrobku


