MOSFET NTD20N06T4G N-kanálový 20 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 802-1008PZnačka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTD20N06T4G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

20 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

46 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

60 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

21,2 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Breite

9.65mm

Počet prvků na čip

1

Länge

10.29mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.83mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 197,50

€ 0,988 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTD20N06T4G N-kanálový 20 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 197,50

€ 0,988 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTD20N06T4G N-kanálový 20 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaCievka
200 - 480€ 0,988€ 19,75
500+€ 0,856€ 17,12

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

20 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

46 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Maximální ztrátový výkon

60 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

21,2 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Breite

9.65mm

Počet prvků na čip

1

Länge

10.29mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.83mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more