MOSFET NTD24N06LG N-kanálový 24 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
24 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
45 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
62.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-15 V, +15 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.73mm
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,38
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
2
€ 1,38
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
2
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 1,38 | € 2,76 |
| 20 - 38 | € 1,31 | € 2,62 |
| 40 - 98 | € 1,22 | € 2,44 |
| 100 - 198 | € 1,18 | € 2,36 |
| 200+ | € 1,13 | € 2,26 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
24 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
45 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
62.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-15 V, +15 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.73mm
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products