MOSFET NTD4809NG N-kanálový 58 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 780-0523Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTD4809NT4G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

58 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

9 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

2.63 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11 nC při 4,5 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.38mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET NTD4809NG N-kanálový 58 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET NTD4809NG N-kanálový 58 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

58 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

9 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

2.63 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11 nC při 4,5 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.38mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more