Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
36 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,78
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 0,78
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,78 | € 3,90 |
50 - 120 | € 0,64 | € 3,20 |
125 - 245 | € 0,63 | € 3,15 |
250 - 495 | € 0,59 | € 2,95 |
500+ | € 0,55 | € 2,75 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
36 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku