MOSFET NTF2955T1G P-kanálový 2.6 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
185 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
2,3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,3 nC při 10 V
Breite
3.5mm
Höhe
1.57mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 18,10
€ 0,905 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 18,10
€ 0,905 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 20 - 198 | € 0,905 | € 1,81 |
| 200+ | € 0,785 | € 1,57 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
185 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
2,3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,3 nC při 10 V
Breite
3.5mm
Höhe
1.57mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products