MOSFET NTF5P03T3G P-kanálový 2,9 A 30 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
3.13 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 13,99
€ 0,56 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 13,99
€ 0,56 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
3.13 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products