Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2,9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
3,13 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.65mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,73
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
25
€ 0,73
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2,9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
3,13 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.65mm
Podrobnosti o výrobku